武汉理工大学材料科学与工程学院研究生导师：章嵩

姓 名

章嵩

性 别

男

民 族

汉

出生年月

1982.01

职  称

副研究员

职 务

      

联系电话

单位名称

新材所

Email

kobe@whut.edu.cn

实验室网址

http://fct.group.whut.edu.cn/cn/index.html

研究方向

l 功能薄膜与涂层

l 化学气相沉积

l 物理气相沉积

教育背景

l 2000/09-2004/06 武汉理工大学 材料科学与工程    学士

l 2004/09-2007/06 武汉理工大学 材料学            硕士

l 2007/09-2010/06 武汉理工大学 材料加工工程      博士

工作经历

l 2010/09-2012/10 华中科技大学 电子科学与技术系  博士后

l 2011/01-2012/10 日本東北大学 金属材料研究所    研究助手

l 2012/12- 武汉理工大学 新材料研究所  副研究员\博士生导师

项目情况

l 国家科技部国际合作专项项目，大尺寸碳化硅的激光化学气相沉积技术及应用合作研发，2014/12-2017/11。

l 国际企业委托项目，卤化物化学气相沉积法制备Ti-Si-C复合材料厚膜成型技术，2015/01-2015/12。

l 基础科研挑战专题，XXX， 2017/09-2021/08。

l 国家自然科学基金项目，基于脉冲激光沉积富硼 B-C 薄膜的关键技术研究，2012/01-2014/12。

l 湖北省自然科学基金项目，3C-SiC晶体缺陷表征与控制研究，2014/01-2015/12。

代表性学术
成果1–10

1  Q. Sun, P. Zhu, Q. Xu, R. Tu, S. Zhang*, J. Shi, H. Li, L. Zhang, et al., “High-speed heteroepitaxial growth of 3C-SiC (111) thick films on Si (110) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [1] 1048–1057 (2018).

2  Q. Xu, P. Zhu, Q. Sun, R. Tu, S. Zhang*, M. Yang, Q. Li, J. Shi, et al., “Fast preparation of (111)-oriented β-SiC films without carbon formation by laser chemical vapor deposition from hexamethyldisilane without H2,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [2] 1471–1478 (2018).

3  P. Zhu, M. Yang, Q. Xu, Q. Sun, R. Tu, J. Li, S. Zhang*, Q. Li, et al., “Epitaxial growth of 3C-SiC on Si(111) and (001) by laser CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 101 [9] 3850–3856 (2018).

4  P. Zhu, Q. Xu, R. Chen, S. Zhang*, M. Yang, R. Tu, L. Zhang, T. Goto, et al., “Structural study of β-SiC(001) films on Si(001) by laser chemical vapor deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 100 [4] 1634–1641 (2017).

5  R. Tu, D. Zheng, Q. Sun, M. Han, S. Zhang*, Z. Hu, T. Goto, and L. Zhang, “Ultra-Fast Fabrication of <110>-Oriented β-SiC Wafers by Halide CVD,” Journal of the American Ceramic Society, 99 [1] 84–88 (2016).

6  R. Tu, Q. Sun, S. Zhang*, M. Han, Q. Li, H. Hirayama, L. Zhang, and T. Goto, “Oxidation Behavior of ZrB2-SiC Composites at Low Pressures,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 214–222 (2015).

7  S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “Growth Mechanism and Defects of <111>-Oriented β-SiC Films Deposited by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [1] 236–241 (2015).

8  S. Zhang, Q. Xu, Q. Sun, P. Zhu, R. Tu, Z. Hu, M. Han, T. Goto, et al., “Effect of Pressure on Microstructure of <111>-Oriented β-SiC Films: Research Via Electron Backscatter Diffraction,” Journal of the American Ceramic Society, 98 [12] 3713–3718 (2015).

9  S. Zhang, Q. Xu, R. Tu, T. Goto, and L. Zhang, “High-Speed Preparation of <111>- and <110>-Oriented β-SiC Films by Laser Chemical Vapor Deposition,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [3] 952–958 (2014).

10  Q. Li, S. Zhang*, C. Wang, Q. Shen, W. Lu, and L. Zhang, “Structural Evolution of B-C Thin Films Deposited from SPSed-Target and Dual-Target,” Journal of the American Ceramic Society, 97 [5] 1367–1370 (2014).