中国人民大学

曹永革 （Yongge Cao）教授,材料物理,博士生导师

1998在北京科技大学获材料学专业博士学位。1998年至2006年间访问香港、日本多个重要学术单位。2006年被西北工业大学聘为特聘教授，并入选2006年度教育部“新世纪优秀人才”计划。2006.9被中国科学院福建物质结构研究所聘用，入选中科院“百人计划”，并获得择优支持。

主要从事透明激光陶瓷和InGaN半导体第三代薄膜太阳能电池两个方向的研究工作。利用自主设备与创新工艺制备了高透过率的Nd:YAG透明陶瓷，实现了高效激光输出（22.5W，效率52.6%），为目前国内最高的陶瓷激光输出效率报导，激光输出功率基本达到国内最高水平；在国际上率先用熔盐法在低于一个大气压条件的温和条件下生长出了尺寸达5mm的高质量氮化镓自由体单晶，光学质量和结晶质量数据比报导的高；利用分子束外延（MBE）生长手段，制备了高质量的InxGa1-xN量子点并提出了生长动力学的演化理论模型；制备了P型ZnO膜以及低In组份低成本高性能的掺In-ZnO透明导电膜；全光谱InGaN薄膜太阳电池方面制备了高质量全In组份InGaN薄膜及期原型太阳电池。相关结果以第一作者分别在Appl. Phys. Lett.和Phys. Rev.B两个期刊上进行了报道（7篇）。

近五年基金项目：

1、科技部973及纳米重大科学研究计划子课题，高效太阳电池材料研究方向，子课题负责人。

2、863重大课题，激光透明陶瓷方向，副组长。

3、中科院重要方向性项目，激光陶瓷方向，课题负责人。

4、福建省科技重点项目，激光陶瓷，课题负责人。

5、物构所重大专项等十余项基金，课题负责人。

6、物构所-上海浦东能源基地项目（已获批准，08年底启动，3700万元平台，600万元项目），项目负责人。

代表性论著：

1. Optical properties of indium doped ZnO films fabricated by magnetron sputtering,Jap. J. Appl. Phys. Part I.45(3A),1623(2006).

2.Low-resistivity p-ZnO films fabricated by sol-gel spin coating, Appl. Phys. Lett.88,251116(2006).

3.In siturevelation of zinc-blende InN wetting layer during Stranski-Krastanov growth on GaN(0001) by molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B. 71,155322(2005).

4.Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN (0001) by Molecular-beam Epitaxy, Phys. Rev. B (Rapid Comm.),68,161304(2003).

5.InN island shape and its dependence on growth condition of molecular-beam epitaxial growth, Appl. Phys. Lett.83,5157(2003).