中国科学技术大学

刘虹越
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：0512-62956219-800
个人主页：http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201009/t20100907_2945918.html

个人简历  Personalresume 
2010年2月入所，研究员，任信息存储联合实验室主任。1996年在宾夕法尼亚州立大学获博士学位。曾任美国Seagate公司高级工程总监（seniordirectorofengineering），主持和参与研发过世界第一款MRAM芯片、美国国防部提供2000万美元的研发经费支持的世界第一款基于GMR的MRAM芯片研发、各类抗辐射电路模型的开发。2010年2月起在我所从事闪存为介质的固态硬盘项目研究，研发课题的主要方向将在如下领域中选择：闪存控制器设计，闪存使用算法的优化，高带宽存储系统的解决方案，存储系统可靠性的提高，存储软件的开发，固态硬盘在存储架构中的新应用，下一代非易失性存储器技术等。

研究方向  Researchdirection 
1、电子信息